负向电压与氧化时间对AZ91D微弧氧化膜层形成特性的影响
乌 迪 刘向东 吕 凯
（内蒙古工业大学材料科学与工程学院）
摘 要 在硅酸盐体系下对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理，研究了负向电压和氧化时间对微弧氧化膜层特性的影响，并通过XRD、金相显微镜及SEM对氧化膜进行了相结构和表面形貌的分析。结果表明，随着负向电压的提高，膜厚逐渐增加，表面孔洞增大，但孔洞及微裂纹的数量减少，当负向电压为120 V时，膜厚达到157 μm，孔洞及裂纹数量最少。延长氧化时间，使得微弧氧化膜层厚度增加，膜层生长速率先增大后减小。氧化膜层主要由立方结构MgO和镁橄榄石相Mg2SiO4构成，衍射谱中未发现Mg的衍射峰，氧化膜层致密性较好。陶瓷膜层由致密层和疏松层组成且与基体结合紧密。
关键词 微弧氧化；负向电压；氧化时间； 陶瓷膜层
刊 期 2008年第28卷第7期
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