5182合金Mg偏析层厚度的控制措施
李太宝
(山东大学材料科学与工程学院)
摘 要 通过对生产中5182合金Mg偏析层缺陷的分析，确定了Mg偏析层缺陷的影响因素，以及控制Mg偏析层厚度的措施。通过采用双排水孔的LHC结晶器，改善冷却强度，铸造开始阶段，冷却水流量为98 m3/h，运行阶段线性增加到239 m3/h,保证冷却水流量与铸造速度的匹配性，金属液面高度控制在40 mm，Mg偏析层厚度有效控制在1.5~2.0 mm范围内。
关键词 偏析层；结晶器；低液位；铸造速度
刊 期 2008年第28卷第6期
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